电子装置的制作方法

本揭露涉及一种具有抗反射层的电子装置。

背景技术：

1、当电子装置中的基板包括转折面或曲面时，后续在形成抗反射膜于基板时，形成于不同的区域(例如平坦区以及转折区)的抗反射膜易具有不同的膜层厚度，当膜层厚度差异过大而可能使得电子装置具有色偏(color?shift)等现象。

技术实现思路

1、根据本揭露的一些实施例提供的电子装置，其包括?；せ?。?；せ灏ɑ逡约翱狗瓷洳??？狗瓷洳闵柚糜谒龌迳??？狗瓷洳惆ㄒ佬蛏柚糜诨迳系牡?子层至第n子层，n大于1，且第n子层的厚度与折射率的乘积范围介于100nm至170nm之间。

技术特征：

1.一种电子装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第n子层的所述厚度介于70nm至120nm之间。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中n为偶数，且所述第1子层至所述第n子层依序为高折射率子层与低折射率子层的依序堆栈。

4.根据权利要求3所述的电子装置，其中n大于或等于4，所述第1子层的厚度与第2子层的厚度总合定义为第一总厚度，第n-1子层的厚度与所述第n子层的厚度总合定义为第二总厚度，且所述第一总厚度小于所述第二总厚度。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述第二总厚度与所述第一总厚度的差值介于20nm至220nm之间。

6.根据权利要求4所述的电子装置，其中当n大于或等于6时，第3子层的厚度与第4子层的厚度总合定义为第三总厚度，且所述第三总厚度大于所述第一总厚度。

7.根据权利要求6所述的电子装置，其中所述第三总厚度与所述第一总厚度的差值介于20nm至220nm之间。

8.根据权利要求4所述的电子装置，其中当n大于或等于6时，第3子层的厚度与第4子层的厚度总合定义为第三总厚度，且所述第三总厚度小于所述第二总厚度。

9.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述基板具有平坦区及转折区，且位于所述平坦区上的所述抗反射层的厚度不同于位于所述转折区上的所述抗反射层的厚度。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第n子层的所述厚度与所述折射率的乘积范围介于120nm至140nm之间。

技术总结
本揭露提供一种电子装置，其包括?；せ?。?；せ灏ɑ逡约翱狗瓷洳??？狗瓷洳闵柚糜诨迳??？狗瓷洳惆ㄒ佬蛏柚糜诨迳系牡?子层至第n子层，n大于1，且第n子层的厚度与折射率的乘积范围介于100nm至170nm之间。

技术研发人员：陈冠臻,马良成,范明儿
受?；さ募际跏褂谜撸?/b>群创光电股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/6