一种光刻对准方法、装置、电子设备及存储介质与流程

本申请涉及电路电子半导体集成制造，尤其涉及一种光刻对准方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术：

1、随着半导体制造工艺的飞速发展，芯片的工艺越来越复杂，而关键套刻误差的量测也变越来越重要。其中，对准误差太大是导致器件短路和断路的主要原因之一，它在很大程度上影响器件的良率，实际上在对晶圆做第一次曝光时，晶圆表面没有参考图形用于对准，这时相邻曝光场之间的相对位置是参照数，相邻曝光场在同一个光刻层，它们之间的位置误差其实属于拼接误差，这种误差必须通过拼接标识来测量。

2、这种用于测量相邻曝光产拼接误差的拼接标识一般只摆放于第一层刻蚀工序或者第一层离子注入工序和第二层刻蚀工序，但当前两层刻蚀工序或任意相邻两层刻蚀工序都有需要放置这种拼接标识时，前层拼接标识和当层拼接标识会完全重合，在一些特殊制程工艺上并不适用，如当存在当层刻蚀深度比前层刻蚀深度要深时，若两层拼接标识处于同一位置会造成刻蚀穿透，不仅会损坏拼接图形，导致量测失败，降低了后续对准的有效性，刻蚀穿透还会产生残留物，造成刻蚀环境污染，且残留物进入到芯片中会对里面的器件结构构成不良的影响，进而会影响芯片的性能。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请的目的在于至少提供一种光刻对准方法、装置、电子设备及存储介质，通过晶圆不同层之间拼接标识的错位设计，避免发生拼接标识的二次刻蚀现象，保证同层之间拼接误差测量的有效性，从而保证光刻对准精度。

2、本申请主要包括以下几个方面：

3、第一方面，本申请实施例提供一种光刻对准方法，方法包括：

4、提供一晶圆，晶圆由切割道划分为多个曝光??；使用曝光设备将光罩上的图形在晶圆的当层进行曝光，以在切割道上形成每个曝光场对应的当层拼接标识，光罩包括由切割道划分开的多个当层曝光图案，多个当层曝光图案与多个曝光场一一对应，每个当层曝光图案对应切割道上形成有该当层曝光图案对应的当层拼接标识，当层拼接标识由前层拼接标识按照第一预设比例缩放确定，当层拼接标识包括对应设置的多个第一拼接标识和多个第二拼接标识，多个第一拼接标识由第一目标拼接标识经平移处理得到，多个第二拼接标识由第二目标拼接标识经平移处理得到，第一目标拼接标识为多个第一拼接标识中的一个，第二目标拼接标识为多个第二拼接标识中的一个；根据当层拼接误差测量图形，确定晶圆当层相邻曝光场之间对应的拼接误差，当层拼接误差测量图形是由相邻曝光场对应的第一拼接标识和第二拼接标识之间堆叠形成的，当层拼接误差测量图形与前层拼接误差测量图形不重合；将拼接误差输入到对准系统，以使对准系统根据拼接误差完成对准。

5、在一种可能的实施方式中，前层拼接标识包括第三拼接标识和第四拼接标识，其中，通过以下方式在光罩上形成当层拼接标识：在切割道宽度范围内，按照第一预设比例分别对第三拼接标识和第四拼接标识进行缩放处理，以在光罩上形成第一拼接标识和第二拼接标识。

6、在一种可能的实施方式中，光罩上对应的第二拼接标识由第一拼接标识按照第二预设比例缩放确定。

7、在一种可能的实施方式中，在晶圆当层形成的第一拼接标识位于曝光场一对角上，在晶圆当层形成的第二拼接标识位于曝光场另一对角上。

8、在一种可能的实施方式中，第一拼接标识的宽度和第二拼接标识的宽度均小于切割道的宽度。

9、在一种可能的实施方式中，晶圆切割道上形成的每个当层拼接误差测量图形对应一前层拼接误差测量图形，当层拼接误差测量图形与其对应的前层拼接误差测量图形的图形中心位置相同，针对每个当层拼接误差测量图形，第一拼接标识与第二拼接标识与该层拼接误差测量图形对应的第三拼接标识和第四拼接标识不存在重合相交。

10、第二方面，本申请实施例还提供一种光刻对准装置，装置包括：提供?？?，用于提供一晶圆，晶圆由切割道划分为多个曝光??；曝光?？?，用于使用曝光设备将光罩上的图形在晶圆的当层进行曝光，以在切割道上形成每个曝光场对应的当层拼接标识，光罩包括由切割道划分开的多个当层曝光图案，多个当层曝光图案与多个曝光场一一对应，每个当层曝光图案对应切割道上形成有该当层曝光图案对应的当层拼接标识，当层拼接标识由前层拼接标识按照第一预设比例缩放确定，当层拼接标识包括对应设置的多个第一拼接标识和多个第二拼接标识，多个第一拼接标识由第一目标拼接标识经平移处理得到，多个第二拼接标识由第二目标拼接标识经平移处理得到，第一目标拼接标识为多个第一拼接标识中的一个，第二目标拼接标识为多个第二拼接标识中的一个；拼接误差确定?？?，用于根据当层拼接误差测量图形，确定晶圆当层相邻曝光场之间对应的拼接误差，当层拼接误差测量图形是由相邻曝光场对应的第一拼接标识和第二拼接标识之间堆叠形成的，当层拼接误差测量图形与前层拼接误差测量图形不重合；对准?？?，用于将拼接误差输入到对准系统，以使对准系统根据拼接误差完成对准。

11、在一种可能的实施方式中，前层拼接标识包括第三拼接标识和第四拼接标识，其中，装置还包括拼接标识形成?？?，用于：在切割道宽度范围内，按照第一预设比例分别对第三拼接标识和第四拼接标识进行缩放处理，以在光罩上形成第一拼接标识和第二拼接标识。

12、第三方面，本申请实施例还提供一种电子设备，包括：处理器、存储器和总线，存储器存储有处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，处理器与存储器之间通过总线进行通信，机器可读指令被处理器运行时执行上述第一方面或第一方面中任一种可能的实施方式中的光刻对准方法的步骤。

13、第四方面，本申请实施例还提供了一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质上存储有计算机程序，计算机程序被处理器运行时执行上述第一方面或第一方面中任一种可能的实施方式中的光刻对准方法的步骤。

14、本申请实施例提供的一种光刻对准方法、装置、电子设备及存储介质，包括：提供一晶圆，使用曝光设备将光罩上的图形在晶圆的当层进行曝光，以在切割道上形成每个曝光场对应的当层拼接标识，当层拼接标识由前层拼接标识按照第一预设比例缩放确定，当层拼接标识包括对应设置的多个第一拼接标识和多个第二拼接标识；根据当层拼接误差测量图形，确定晶圆当层相邻曝光场之间对应的拼接误差，当层拼接误差测量图形与前层拼接误差测量图形不重合；将拼接误差输入到对准系统，以使对准系统根据拼接误差完成对准。本申请通过晶圆不同层之间拼接标识的错位设计，避免发生拼接标识的二次刻蚀现象，保证同层之间拼接误差测量的有效性，从而保证光刻对准精度。

15、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

技术特征：

1.一种光刻对准方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前层拼接标识包括第三拼接标识和第四拼接标识，

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光罩上对应的第二拼接标识由所述第一拼接标识按照第二预设比例缩放确定。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在晶圆当层形成的第一拼接标识位于曝光场一对角上，在晶圆当层形成的所述第二拼接标识位于曝光场另一对角上。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一拼接标识的宽度和所述第二拼接标识的宽度均小于所述切割道的宽度。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，晶圆切割道上形成的每个当层拼接误差测量图形对应一前层拼接误差测量图形，当层拼接误差测量图形与其对应的前层拼接误差测量图形的图形中心位置相同，

7.一种光刻对准装置，其特征在于，所述装置包括：

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述前层拼接标识包括第三拼接标识和第四拼接标识，

9.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过所述总线进行通信，所述机器可读指令被所述处理器运行时执行如权利要求1至6任一所述的光刻对准方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1至6任一所述的光刻对准方法的步骤。

技术总结
本申请提供了一种光刻对准方法、装置、电子设备及存储介质，涉及电路电子半导体集成制造技术领域，包括：使用曝光设备将光罩上的图形在晶圆的当层进行曝光，以在切割道上形成每个曝光场对应的当层拼接标识，当层拼接标识由前层拼接标识按照第一预设比例缩放确定；根据当层拼接误差测量图形，确定晶圆当层相邻曝光场之间对应的拼接误差，当层拼接误差测量图形与前层拼接误差测量图形不重合；将拼接误差输入到对准系统，以使对准系统根据拼接误差完成对准。本申请通过晶圆不同层之间拼接标识的错位设计，避免发生拼接标识的二次刻蚀现象，保证同层之间拼接误差测量的有效性，从而保证光刻对准精度。

技术研发人员：黄远婷,梁振浪,王帅,刘志成
受?；さ募际跏褂谜撸?/b>粤芯半导体技术股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/24