本技术涉及研磨,具体为一种硅片研磨装置。
背景技术:
1、硅片的研磨工艺,在半导体领域十分常见,其主要有两个应用方面,一是芯片制造完成后,将厚度多余的背面研磨减薄,去掉不用的部分以利于后续封装测试工艺;二是晶圆制作过程中,为提高硅片表面状态,增大平坦度,对硅片进行打磨,以利于后续抛光工艺进行。
2、目前,公开号为cn213498152u的中国专利公开了一种半导体硅片研磨装置,包括底座,所述底座上侧壁固定连接有两个支撑板,两个所述支撑板的相对侧壁共同固定连接有顶板,所述顶板的上侧壁固定连接有电机,所述电机的输出轴固定连接有第一转杆,所述第一转杆的下端固定连接有打磨石,两个所述支撑板的相对侧壁设有固定机构,所述固定机构包括放置板,所述底座上壁设有安装板,所述安装板上侧壁设有限位槽。本实用新型保证了硅片在研磨时的稳定性,使硅片在研磨过程中不会发生偏移,保证了硅片研磨后的厚度均匀和硅片产品的质量,还可以根据硅片的厚度进行高度调节,能够根据需要研磨不同厚度的硅片,扩大了装置的适用范围。
3、根据上述专利可知,现有的部分硅片研磨装置不具有清理废屑的功能,而研磨装置在研磨硅片时,会产生大量的废屑散落在研磨台上,如果不对其进行清理,则会导致硅片在与废屑接触时,出现划伤的现象,从而影响了硅片的成品质量。
技术实现思路
1、为解决上述背景技术中提出的问题,本实用新型的目的在于提供一种硅片研磨装置,具备清理废屑清理废屑的优点,解决了现有的部分硅片研磨装置不具有清理废屑的功能,而研磨装置在研磨硅片时,会产生大量的废屑散落在研磨台上,如果不对其进行清理,则会导致硅片在与废屑接触时,出现划伤的现象,从而影响了硅片成品质量的问题。
2、为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种硅片研磨装置,包括工作台,所述工作台的顶部固定连接有外壳,所述外壳的内部设置有研磨板和打磨装置,所述工作台的顶部设置有清理单元;
3、所述清理单元包括固定连接在外壳内部的网板和过滤网,所述外壳的左右两侧均连通有水泵,所述水泵的输水端连通有送水管,所述送水管远离水泵的一端贯穿外壳连通有多个喷淋组件,所述外壳的左侧固定连接有蓄电池,所述外壳的前端设置有开合门。
4、作为本实用新型优选的,所述蓄电池的表面套设有防护壳,且防护壳与外壳固定连接。
5、作为本实用新型优选的,所述送水管的表面套设有防晃件,且防晃件与外壳固定连接。
6、作为本实用新型优选的,所述过滤网的上下两侧均固定连接有多个连接板,且连接板与外壳固定连接。
7、作为本实用新型优选的,所述过滤网的底部固定连接有多个振动电机,且振动电机为防水设计。
8、作为本实用新型优选的,所述外壳的前端开设有孔洞,且孔洞的内部固定连接有玻璃窗。
9、与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
10、1、本实用新型通过蓄电池启动水泵,使得水泵将外壳底壁的清洗水抽取到送水管内,并通过喷淋组件将清洗水喷淋掉研磨板上,直至使得废屑顺着水流集中在过滤网的顶部,即可完成清理废屑工作,以此避免了废屑与硅片接触,而导致硅片出现划伤的现象,继而提高了硅片的成品质量。
11、2、本实用新型通过设置防护壳,从而避免了蓄电池遭到碰撞,而导致蓄电池轻易出现损伤的现象,以此提高了防护性。
1.一种硅片研磨装置,包括工作台(1),其特征在于:所述工作台(1)的顶部固定连接有外壳(2),所述外壳(2)的内部设置有研磨板(3)和打磨装置(4),所述工作台(1)的顶部设置有清理单元(5);
2.根据权利要求1所述的一种硅片研磨装置,其特征在于:所述蓄电池(56)的表面套设有防护壳(6),且防护壳(6)与外壳(2)固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种硅片研磨装置,其特征在于:所述送水管(54)的表面套设有防晃件(7),且防晃件(7)与外壳(2)固定连接。
4.根据权利要求1所述的一种硅片研磨装置,其特征在于:所述过滤网(52)的上下两侧均固定连接有多个连接板(8),且连接板(8)与外壳(2)固定连接。
5.根据权利要求1所述的一种硅片研磨装置,其特征在于:所述过滤网(52)的底部固定连接有多个振动电机(9),且振动电机(9)为防水设计。
6.根据权利要求1所述的一种硅片研磨装置,其特征在于:所述外壳(2)的前端开设有孔洞,且孔洞的内部固定连接有玻璃窗(10)。