本发明涉及mems制造工艺,具体为一种mems高深宽比结构的形成方法。
背景技术:
1、在微机电系统(mems,micro-electro-mechanical?system)加工工艺中,有一种独特的干法刻蚀工艺,即深反应离子刻蚀工艺(deep?reactive?ion?etching,drie),该工艺主要用于刻蚀硅结构。现有的drie工艺下,刻蚀的深宽比一般只能达到30:1左右,即若开口宽度是1微米,那么刻蚀深度可以达到30微米。然而在很多应用领域,需要更深的深度和更小的开口,例如若制备质量块很厚的梳齿型加速度计结构,需要灵敏度很高(加速度计的开口间隙越小,动齿和定齿间的距离越小,电容变化量越大),为了实现高灵敏度,需要制备深宽比更大的沟槽结构,例如1微米的间隙,90微米的深度。然而,现有的drie工艺难以实现上述的高深宽比结构。
技术实现思路
1、本发明的目的在于提供一种mems高深宽比结构的形成方法,以解决上述背景技术中提出的问题。
2、为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
3、一种mems高深宽比结构的形成方法,包括以下步骤:
4、提供硅片;
5、刻蚀所述硅片,形成第一凹槽;
6、在所述硅片表面形成预设厚度的氧化层,所述氧化层至少覆盖所述第一凹槽的侧壁;
7、在所述硅片表面沉积填充材料,形成至少填充满所述第一凹槽的填充结构;
8、去除所述氧化层,释放出所述填充结构,形成第二凹槽,所述第二凹槽以所述填充结构的侧壁、所述第一凹槽的侧壁为侧壁。
9、进一步的,所述提供硅片的步骤中,所述硅片为soi硅片,所述soi硅片内部设置有埋氧层;所述刻蚀所述硅片,形成第一凹槽的步骤中,以所述埋氧层作为刻蚀停止层,刻蚀所述硅片。
10、进一步的,所述以所述埋氧层作为刻蚀停止层,刻蚀所述硅片的步骤中,利用深反应离子刻蚀工艺刻蚀所述硅片。
11、进一步的,所述在所述硅片表面形成预设厚度的氧化层的步骤中,所述氧化层为氧化硅,采用热氧或pecvd方式在所述硅片表面形成所述氧化硅。
12、进一步的,所述在所述硅片表面形成预设厚度的氧化层的步骤中,所述预设厚度与后续形成的所述第二凹槽的宽度相等。
13、进一步的,所述氧化层的厚度范围为0.1微米~3微米。
14、进一步的,所述在所述硅片表面沉积填充材料,形成至少填充满所述第一凹槽的填充结构的步骤中,所述填充结构填充满所述第一凹槽,且覆盖所述硅片表面;所述去除所述氧化层的步骤之前,还包括:对所述填充结构进行平坦化处理,暴露所述硅片顶部的氧化层。
15、进一步的,所述填充材料为多晶硅。
16、进一步的,所述去除所述氧化层的步骤中,采用气态氟化氢或氢氟酸溶液去除所述氧化层。
17、进一步的,所述第一凹槽的深宽比小于30:1,所述第二凹槽的深宽比大于90:1。
18、与现有技术相比,本申请实施例提供的mems高深宽比结构的形成方法可以实现现有的drie工艺无法做到的大深宽比结构,突破现有drie工艺技术极限,实现极小(例如0.1微米~3微米)间隙、高深宽比结构,消除了现有工艺对深宽比的限制,以及可以精确控制所形成的高深宽比结构的开口尺寸。
1.一种mems高深宽比结构的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的mems高深宽比结构的形成方法,其特征在于,所述提供硅片的步骤中,所述硅片为soi硅片,所述soi硅片内部设置有埋氧层;
3.如权利要求2所述的mems高深宽比结构的形成方法,其特征在于,所述以所述埋氧层作为刻蚀停止层,刻蚀所述硅片的步骤中,利用深反应离子刻蚀工艺刻蚀所述硅片。
4.如权利要求1所述的mems高深宽比结构的形成方法,其特征在于,所述在所述硅片表面形成预设厚度的氧化层的步骤中,所述氧化层为氧化硅,采用热氧或pecvd方式在所述硅片表面形成所述氧化硅。
5.如权利要求1或4所述的mems高深宽比结构的形成方法,其特征在于,所述在所述硅片表面形成预设厚度的氧化层的步骤中,所述预设厚度与后续形成的所述第二凹槽的宽度相等。
6.如权利要求5所述的mems高深宽比结构的形成方法,其特征在于,所述氧化层的厚度范围为0.1微米~3微米。
7.如权利要求1所述的mems高深宽比结构的形成方法,其特征在于,
8.如权利要求1所述的mems高深宽比结构的形成方法,其特征在于,所述填充材料为多晶硅。
9.如权利要求1所述的mems高深宽比结构的形成方法,其特征在于,所述去除所述氧化层的步骤中,采用气态氟化氢或氢氟酸溶液去除所述氧化层。
10.如权利要求1所述的mems高深宽比结构的形成方法,其特征在于,所述第一凹槽的深宽比小于30:1,所述第二凹槽的深宽比大于90:1。