.本公开的实施例涉及一种芯片外的驱动装置，更具体的说是可以增加信号转换的反应时间的芯片外驱动装置。.随着内存组件的操作速度增加，传输信号的振幅在高速数据传输模式中因为受到信道效应而变小。请参考图，该图说明了现有技术中高速数据传输模式的波形图。在图中，基于频率信号clk接收一个输入数据ind...

用于每单元.位电荷分布的系统及方法.本段落希望向读者介绍可与下文将描述及/或主张的本公开技术的各种方面相关的技术的各种方面。据信，此论述有助于向读者提供背景信息以促进更好理解本公开的各种方面。因此，应了解，这些陈述应鉴于此解读且不应被解读为承认。.下文大体上涉及存储器装置，且更明确...

.本发明涉及数据存储，尤其涉及一种nor闪存的检测方法、装置及嵌入式设备。.nor闪存(flash)用于嵌入式设备时，存储有保障设备正常运行的关键数据，包括固件、设备信息、运行日志等，因此nor闪存一旦出现故障将对产品造成致命影响。.现有技术中，nor闪存的检测是在嵌入式设备使用过...

.本公开实施例涉及信息存储，尤其涉及一种非易失静态随机存储单元数据召回方法。.目前，计算机系统中包括两类存储器，一类是掉电之后数据丢失的易失性存储器，主要是sram和dram，该类型存储器存取速度快，适合于芯片上电后数据的实时交换；另一类是掉电之后数据保持的非易失性存储器，主要是f...

一种低功耗低开销efuse电路.本发明涉及efuse电路，尤其是涉及一种低功耗低开销efuse电路。.电子可编程熔丝电路(efuse电路)是以efuse熔丝组成的存储单元为核心，外围电路为辅助的存储电路，由于其可用于存储芯片的id信息和作为芯片重置器使用，因此得到广泛关注。.boo...

.本发明属于忆阻器存储，特别涉及一种分时复用忆阻存储电路结构及工作方法。.目前，相较于普通存储器仅仅能够存储若干个状态，忆阻器能够凭借丰富状态调整，在消耗资源极少的情况下，存储大量的浮点信息。忆阻具有多种状态，要实现对应的存储和读取电路，不同于普通mos和电容类存储器的结构，往往意...

.本申请实施例涉及电路领域，尤其涉及一种电源开关电路和一次性可编程存储器。.随着芯片集成度的提高，芯片的可靠性、生产良率和芯片功耗成为设计和制造中的重要课题。由于一次性可编程存储器(electricallyprogramfuse，efuse)具备较高的存储可靠性，因此在芯片中加入efu...

.本发明涉及电力营配贯通，具体为一种电力营配贯通现场采录设备。.谓营配贯通，是国家电力网络公司推出的工程项目，它以广大客户作为工作核心，在企业内部实现资源共享，把电力企业每个部门的工作紧密结合在一起，实现电力企业故障检修实时化，大幅度地提高了工作效率，对营销业务的提升起到推动作用，...

.本申请涉及存储器，尤其涉及一种静态随机存取存储器，和包含有该静态随机存取存储器的芯片。.静态随机存取存储器(staticrandom-accessmemory，sram)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。该种存储...

集成电路存储器设备中的信号偏斜校正.现代计算机系统通常包括数据存储设备，诸如存储器部件或设备。例如，存储器部件可以是随机存取存储器(ram)或动态随机存取存储器(dram)。存储器设备包括由存储器单元组成的存储体，存储器控制器或存储器客户端通过存储器设备内的命令接口和数据接口来访问这些存储...

.本公开大体上涉及半导体存储器及方法，且更特定来说，涉及用于使用有毒数据单位修改奇偶校验数据的设备、系统及方法。.存储器装置通常被提供作为计算机或其它电子系统中的内部半导体集成电路。存在许多不同类型的存储器，其包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持其数据(例如，主机数据...

.本公开大体上涉及存储器装置且更明确来说，涉及包括包含p型及n型晶体管的双晶体管驱动器的存储器装置及其方法。.存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置中，例如计算机、智能电话、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者。通过编程存储器装置的不同状态而存储信息。举例来说，二进制装置具有两个状态...

.本公开涉及集成电路控制，具体而言，涉及一种驱动控制电路及存储器。.相关技术中，当写命令（用wr_cmd表示）为部分写命令时，会产生读修改写（read-modify-write，rmw）操作。当部分写命令访问的存储体组（bankgroup，bg）与下一次正常读命令（表示为rd_c...

.本公开涉及集成电路，具体而言，涉及一种半导体存储装置的可测试性电路和数据测试方法。.相关技术中，在制程验证阶段的动态随机访问存储器（dynamicrandomaccessmemory，dram）需要进行电性验证和分析，而电性验证和分析需要明确发生失效的原因，因此需要明确dr...

norflash读取方法、装置、存储芯片及设备.本申请涉及存储芯片，具体而言，涉及一种norflash读取方法、装置、存储芯片及设备。.norflash在执行读取操作时需要对目标存储单元所在的位线和字线施加相应的读取电压，以通过读取电路读出该目标存储单元的存储数据；...

dram中门控脉冲信号的校正方法和装置.本申请涉及存储器，尤其涉及一种dram中门控脉冲信号的校正方法和装置。.在对动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)颗粒的内存进行读操作时，存储控制器需要基于存储单元生成的数据选通信号(...

.本发明涉及一种存储器管理技术，尤其涉及一种读取电压校正方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。.移动电话与笔记本计算机等可携式电子装置在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器?？?rewritablenon-volatilememo...

非易失性存储器件.相关申请的交叉引用.本申请要求在韩国知识产权局于年月日提交的韩国专利申请第--号的优先权以及于年月日提交的韩国专利申请第--号的优先权，上述申请的公开内容以引用的方式全部并入本文。.本公开涉及存储器件，并且更具体地涉及通过以接合(bonding)方式将其中布置有存储单元的...

.本公开大体上涉及半导体装置，且更具体来说，涉及半导体存储器装置。特定来说，本公开涉及易失性存储器，例如动态随机存取存储器(dram)。.信息可作为物理信号(例如电容元件上的电荷)存储在存储器的个别存储器单元上。存储器可为易失性存储器，且物理信号可随时间推移而衰减(这可使存储在存储器单元中...

非易失性存储器系统中用于存储和检索系统数据的经改进架构.优先权声明.本申请要求于年月日提交的名称为″非易失性存储器系统中用于存储和检索系统数据的架构(architecturesforstoringandretrievingsystemdatainanon-volatilemem...