技术编号：37664034
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于mems器件封装，具体涉及一种基于钛硅欧姆接触的密封方法。背景技术、在mems工艺技术领域，针对准备干法刻蚀出硅微结构和密封封装引出导电信号的硅片，当其蒸镀电极焊盘后进行高温合金化欧姆接触工艺时遇到的封装可靠性变差的难题。、如图，经过研磨减薄双面抛光后的中间硅层与silicon?on?insulator片(简称soi片)的硅器件层进行硅硅键合，硅器件层在键合前被刻蚀出用于电信号引出的硅导带层和用于机械支撑的锚点。该soi片还包含硅支撑层、用于隔离器件层和硅支撑层的...
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