技术编号：37685620
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及微机电器件，具体而言，涉及一种微机电器件硅通孔结构的制备方法、及微机电器件。背景技术、在微机电器件(mems，micro-electro-mechanical?system)的加工制备领域，硅通孔结构广泛应用于很多产品中。随着需求的发展，许多产品要求具有上下不同尺寸的硅通孔结构，针对这一结构，现阶段通常采用晶相完全为()的硅衬底进行刻蚀得到，具体的，首先可以采用博世工艺对该硅衬底的背面进行深硅刻蚀，然后再在该硅衬底上生长掩膜层，再通过湿法刻蚀对该硅衬底的正面进行刻蚀，进而得到具...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。