掩模缺陷检测的制作方法

本文提供的实施例涉及掩模鉴定技术，更具体地涉及使用带电粒子束检查系统的有效掩模缺陷检测机制。

背景技术：

1、光刻设备可用于例如制造集成电路(ic)。在这种情况下，掩?；蜓谀０婵梢园蛱峁┒杂τ趇c的个体层的电路图案(“设计布局”)，并且该电路图案可以被转印到衬底(例如，硅晶片)上的(例如，包括一个或多个管芯的)目标部分上。掩模缺陷会极大地影响工艺产率。因此，可通过检查印刷晶片以标识掩模缺陷并在标识掩模缺陷时标识何时采取适当程序来监测掩模状态。

2、利用光学显微镜或带电粒子(例如，电子)束显微镜(诸如，扫描电子显微镜(sem))的检查系统可用于基于对印刷晶片的检查来定位掩模上的缺陷，这被称为“印刷检查”或“掩模版印刷验证”。由于随机特性，包括由外部颗粒引起的颗粒缺陷的一些掩模缺陷可能不会一致地印刷在晶片上，因此需要检查多个晶片场以捕获所有掩模缺陷。然而，用sem工具检查两个或多个晶片场可能是昂贵的。因此，期望改进掩模缺陷检测性能。

技术实现思路

1、本文提供的实施例公开了一种粒子束检查装置，更具体地，公开了一种使用多个带电粒子束的检查装置。

2、一些实施例提供了一种方法，该方法包括：在晶片被使用掩模的光刻系统以所选择的工艺条件曝光之后，检查所曝光的晶片，所选择的工艺条件是基于在所选择的工艺条件下的掩模缺陷适印性确定的；以及基于检查标识由掩模上的缺陷引起的晶片缺陷，以能够标识掩模上的缺陷。

3、一些实施例提供了一种用于确定调制条件的方法。该方法包括：在测试晶片的多个场中的每个场被使用掩模的光刻系统以不同的工艺条件曝光之后，检查测试晶片的多个场以标识对应场上的缺陷；以及基于检查确定调制条件。

4、一些实施例提供了一种用于确定调制条件的方法。方法包括：设置光刻模型，光刻模型用于模拟用具有缺陷颗粒的掩模进行的晶片的曝光过程；基于掩模的形貌和掩模上的缺陷颗粒来模拟掩模附近的电磁场，电磁场使得能够确定掩模附近的光路；基于晶片处的模拟电磁场来模拟空间图像或抗蚀剂图像；以及基于模拟的空间图像或抗蚀剂图像确定光刻系统的调制条件。

5、一些实施例提供一种带电粒子束装置，其被配置为使用掩模来检查由光刻系统曝光的晶片。该装置包括带电粒子束源，该带电粒子束源被配置为照射该晶片的第一场和第二场，该第一场被用第一工艺条件曝光，并且该第二场被用不同于该第一工艺条件的第二工艺条件曝光；检测器，其被配置为收集从晶片发射的次级带电粒子，次级带电粒子能够标识晶片上的缺陷，其中第一场和第二场包括在对应场上彼此不同数量的缺陷；以及处理器，其被配置为促进基于掩模缺陷适印性确定用于检查第二掩模的工艺条件，掩模缺陷适印性基于所标识的缺陷确定。

6、一些实施例提供了一种装置，其包括存储指令集的存储器；以及至少一个处理器，其被配置为执行指令集以使装置执行：在晶片被使用掩模的光刻系统以所选择的工艺条件曝光之后，检查所曝光的晶片，所选择的工艺条件是基于在所选择的工艺条件下的掩模缺陷适印性确定的；以及基于检查标识由掩模上的缺陷引起的晶片缺陷，以实现对掩模上的缺陷的标识。

7、一些实施例提供了一种用于确定调制条件的装置，包括：存储指令集的存储器；以及至少一个处理器，其被配置为执行指令集以使装置执行：在测试晶片的多个场中的每个场被使用掩模的光刻系统以不同的工艺条件曝光之后，检查测试晶片的多个场以标识对应场上的缺陷；以及基于检查确定调制条件。

8、一些实施例提供了一种用于确定调制条件的装置，包括：存储指令集的存储器；以及至少一个处理器，其被配置为执行指令集以使装置执行：设置光刻模型，该光刻模型用于模拟用具有缺陷颗粒的掩模进行的晶片的曝光过程；基于掩模的形貌和掩模上的缺陷颗粒来模拟掩模附近的电磁场，电磁场使得能够确定掩模附近的光路；基于晶片处的模拟电磁场来模拟空间图像或抗蚀剂图像；以及基于模拟的空间图像或抗蚀剂图像来确定用于光刻系统的调制条件。

9、一些实施例提供了一种存储指令集的非暂态计算机可读介质，该指令集可由计算设备的至少一个处理器执行以使该计算设备执行一种方法，该方法包括：在晶片被使用掩模的光刻系统所选择的工艺条件曝光之后，检查所曝光的晶片，所选择的工艺条件是基于在所选择的工艺条件下的掩模缺陷适印性确定的；以及基于检查标识由掩模上的缺陷引起的晶片缺陷，以能够标识掩模上的缺陷。

10、一些实施例提供了一种存储指令集的非暂态计算机可读介质，该指令集可由计算设备的至少一个处理器执行以使得该计算设备执行用于确定调制条件的方法。该方法包括：在使用掩模的光刻系统以不同的工艺条件对测试晶片的多个场中的每个场进行曝光之后，检查测试晶片的多个场以标识对应场上的缺陷；以及基于检查确定调制条件。

11、一些实施例提供了一种存储指令集的非暂态计算机可读介质，该指令集可由计算设备的至少一个处理器执行以使得该计算设备执行用于确定调制条件的方法。方法包括：设置光刻模型，光刻模型用于模拟用具有缺陷颗粒的掩模进行的晶片的曝光过程；基于掩模的形貌和掩模上的缺陷颗粒来模拟掩模附近的电磁场，电磁场使得能够确定掩模附近的光路；基于晶片处的模拟电磁场来模拟空间图像或抗蚀剂图像；以及基于模拟的空间图像或抗蚀剂图像来确定光刻系统的调制条件。

12、从以下结合附图的描述中，本公开的实施例的其他优点将变得显而易见，在附图中通过图示和示例的方式阐述了本发明的某些实施例。

技术特征：

1.一种装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述经曝光的晶片包括第一场和第二场，所述第一场用所选择的所述工艺条件曝光，并且所述第二场用与所选择的所述工艺条件不同的工艺条件曝光。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，在标识所述晶片缺陷时，所述至少一个处理器被配置为执行所述指令集以使所述装置执行：

4.根据权利要求2所述的装置，其中，在标识所述晶片缺陷时，所述至少一个处理器被配置为执行所述指令集以使所述装置执行：

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个处理器被配置为执行所述指令集以使所述装置还执行：

6.根据权利要求5所述的装置，其中，在确定所选择的所述工艺条件时，所述至少一个处理器被配置为执行所述指令集以使所述装置还执行：

7.根据权利要求5所述的装置，其中，在检查所述测试晶片的所述多个场时，所述至少一个处理器被配置为执行所述指令集以使所述装置执行：

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述至少一个处理器被配置为执行所述指令集以使所述装置还执行：

9.根据权利要求8所述的装置，其中，在建立所述光刻模型中，所述至少一个处理器被配置为执行所述指令集以使得所述装置还执行：

10.根据权利要求1所述的装置，其中所述处理条件包括曝光剂量、焦点或照射条件。

11.根据权利要求1所述的装置，其中所选择的所述工艺条件包括小于标称剂量的曝光剂量。

12.一种存储指令集的非暂态计算机可读介质，所述指令集能够由计算设备的至少一个处理器执行以使所述计算设备执行用于确定调制条件的方法，所述方法包括：

13.根据权利要求12所述的计算机可读介质，其中在确定所述调制条件时，能够由所述计算设备的至少一个处理器执行的所述指令集使所述计算设备还执行：

14.根据权利要求12所述的计算机可读介质，其中，在检查所述测试晶片的所述多个场时，能够由所述计算设备的至少一个处理器执行的所述指令集使所述计算设备还执行：

15.根据权利要求12所述的计算机可读介质，其中所述工艺条件包括曝光剂量、焦点或照射条件。

技术总结
公开了一种用于检测掩模上的(多个)缺陷的改进的方法和系统。改进的方法包括：在晶片被使用掩模的光刻系统曝光以所选工艺条件曝光之后检查曝光晶片，该所选工艺条件是基于所选工艺条件下的掩模缺陷适印性确定的；以及基于检查标识由掩模上的缺陷引起的晶片缺陷，以实现对掩模上的缺陷的标识。

技术研发人员：王富明,M·J-J·维兰德,曹宇,张国宏
受?；さ募际跏褂谜撸?/b>ASML荷兰有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/4/8