本案是关于一种微型流体泵的制造方法，尤指一种通过半导体制程来制作微型流体泵的制造方法。、、随着科技的日新月异，流体输送装置的应用上亦愈来愈多元化，举凡工业应用、生医应用、医疗保健、电子散热等等，甚至近来热门的穿戴式装置皆可见它的踨影，可见传统的泵已渐渐有朝向装置微小化、流量...

本发明涉及压力传感器，具体涉及一种碳化硅电容式压力传感器及其制备方法。、随着微机电技术的发展，第二代半导体材料单晶硅的压阻效应和其良好的机械结构特性，使得利用微机电工艺技术制成的mems硅压力传感器逐渐成为了市场的主流，其具有体积小、精度高、成本低和稳定性强的优点，并广泛应用在航空航天、石...

本发明的实施例涉及制造凸块或柱的方法和半导体器件。、最近已经开发了微电子机械系统(mems)器件。mems器件包括使用半导体技术制造的器件以形成机械和电子部件。mems器件实现在压力传感器、麦克风、致动器、镜像、加热器和/或打印机喷嘴中。虽然用于形成mems器件的现有器件和方法对于它们的预...

本发明涉及电子产品封装，尤其涉及一种压阻式加速度计的器件级无引线异构集成结构及工艺。、压阻式加速度计的工作原理是根据所经历的加速度改变其电阻?？梢圆饬考铀俣鹊谋浠粤私獯衅骶募铀俣嚷?。其在高振幅下应用广泛，例如，可应用车辆碰撞测试和武器测试中；从而也都其封装体积和可靠性产生了更严格的...

本公开涉及用于封闭微机械装置的通气孔的激光密封方法。在一些特定实施例中，激光被施加到从通气孔偏移的沟槽。在一些特定实施例中，激光相对于微机械装置而倾斜。、各种微机械装置(例如，微机电系统(mems)、惯性测量单元(imu)等)包括通向包含被封装装置的腔室的通气孔开口。近年来，已利用脉冲激光...

本公开涉及具有改进的温度校准的防水压力传感器装置。、耐水或不渗透(所谓“防水”)的微机电(mems-微机电系统)压力传感器装置是已知的。、例如，这些压力传感器装置可用于便携式或可穿戴电子设备，例如智能手机、智能手环或智能手表，其可用于水下应用或一般在水中。、前述压力传感器装置典型地包括检测...

本发明涉及微机械结构，尤其涉及一种防过载冲击的微机械结构。、陀螺仪作为测量角速度的一种现代高精度传感器，当应用在强烈振动或者剧烈冲击等较为恶劣的环境中时，测量结果存在漂移，甚至导致陀螺仪的破碎，使得陀螺仪失效。针对测量结果存在的漂移，目前常用的解决方案是采用传感器单元配合加速度计结合算法实...

本发明是关于通过阻焊坝使用室温硫化(room-temperature-volcanizing,rtv)材料以提高运动传感器的稳健性的实施例。、传统的半导体技术在相应的运动传感器装置的制造过程中利用晶粒黏结薄膜(die?attach?film,daf)将半导体晶粒(die)及/或芯片(chi...

本发明属于微纳光学材料制备，具体涉及一种微米级双曲面组装体及其制备方法和在光学显微成像中调控放大倍数上的应用。、随着光学成像技术的快速发展，人们对高性能且低成本的微型光学系统的需求日益增长。传统的光学显微镜受限于光学衍射极限，其分辨率通常只能达到大约nm，加之在大规模集成和器件小型化方面的...

本技术涉及mems封装结构，具体为一种硅基mems封装结构。、mems传感器即微机电系统，是在微电子技术基础上发展起来的多学科交叉的前沿研究领域。mems是微型系统级芯片，而硅基mems封装结构是指在硅基微电子器件上采用的一种封装结构，用于实现mems的集成和封装。mems传感器是采用微电...

本发明涉及微电子器件，具体涉及一种高精度温度感测功能的mems微热板及其制备方法。、当前，气体传感器和其它传感器一样，发展的趋势也是微型化、智能化和多功能化。由于工作温度对半导体气敏材料的响应恢复时间、灵敏度等气敏性能有着极大影响，大多数半导体气敏材料因其工作环境温度、最佳工作温度等限制，...

本发明涉及半导体芯片加工，具体为一种硅基mems芯片大面积背腔深刻蚀的干法刻蚀工艺。、mems是micro-electro-mechanical?system的缩写，中文名称是微机电系统。微机电系统是在微电子技术(半导体制造技术)基础上发展起来的，融合了光刻、腐蚀、薄膜、liga、硅微加工...

本申请涉及超滑材料，尤其涉及一种超滑结构的滑移面状态控制方法和超滑器件结构。、二维材料，如石墨烯、氮化硼、二硫化钼、二硫化钨等，其载流子迁移和热量扩散都被限制在二维平面内，使得这种材料展现出许多奇特的性质，成为研究的热点。利用部分微米级别的二维材料在层间剪切后仍能自发地回复到原来的位置的性...

本发明涉及有序合金铁磁性纳米线结构体及其制造方法。、具有强垂直磁各向异性(pma：perpendicular?magnetic?anisotropy)和大的矫顽磁力(hc)的铁磁性体，以应用于磁阻式随机存取存储器(mram：magnetoresistive?randomaccess?mem...

本发明涉及微电子器件，尤其涉及一种机电耦合器件单元及其制备与应用。、机电耦合效应是一种电气和机械形式转化，这种转换效应通常被称为压电或电致伸缩效应。其在半导体工业，尤其是电子芯片中的机械驱动和传感微结构有着重大应用前景，如“mems”器件。目前的电致伸缩应用主要集中在氧化物或者弛豫铁电体中...

本发明涉及mems制造工艺，具体为一种mems高深宽比结构的形成方法。、在微机电系统(mems,micro-electro-mechanical?system)加工工艺中，有一种独特的干法刻蚀工艺，即深反应离子刻蚀工艺(deep?reactive?ion?etching，drie)，该工艺...

本申请涉及硅通孔，具体而言，涉及一种微机电器件硅通孔的制作方法、及微机电器件。、作为d封装关键技术和典型应用，硅通孔技术(即tsv技术)已逐渐趋于成熟。硅通孔是一种垂直互联结构，能实现从电路层的一面到另一面的电气连接。硅通孔制造技术路线有许多种方案，但均涉及双面制程，需要先从正面制作得到硅...

本发明涉及神经科学领域，具体涉及一种基于pedot∶pss界面的柔性透明神经电极及其制备方法。、神经电极作为神经和外部设备的接口，能直接记录神经电信号，其机械性能和界面性能对神经环路的研究和神经疾病的治疗至关重要。目前神经电极主要分为刚性电极和柔性电极，柔性电极基于其和生物组织之间相仿的机...

本申请涉及超滑材料，尤其涉及一种超滑结构及其制备方法。、二维材料，如石墨烯、氮化硼、二硫化钼、二硫化钨，其载流子迁移和热量扩散都被限制在二维平面内使得这种材料展现出许多奇特的性质，成为研究的热点。目前，利用部分微米级别的二维材料在层间剪切后仍能自发地回复到原来的位置的性质发展了结构超滑技术...

本发明涉及光电，特别是涉及一种提高光电阴极光谱利用率的微纳光窗、提高光电阴极光谱利用率的微纳光窗的制备方法及光学组件。、在光电管、光电倍增管等光电器件中，将不同波长的辐射信号转化为电信号，均依靠光阴电极。光电阴极利用的是光电发射效应，其基本工作过程是把光信号变成电信号后将电子发射出去。光电...