确定晶圆是否扎针合格的方法及相关装置与流程

本申请涉及半导体器件应用领域，尤其涉及一种确定晶圆是否扎针合格的方法及相关装置。

背景技术：

1、随着半导体领域技术的不断进步，为了在生产过程中及时了解晶圆的良品率，需要通过探针卡对晶圆进行测试，探针卡具有多个探针，通过探针卡的探针触碰芯片中的电极，以检测芯片的功能是否存在异常，在探针触碰芯片中的电极后，需要进行针痕检测，通过针痕的检测来判断扎针效果是否合格。

2、目前的针痕检测方法在保证精准定位的情况下，无法兼顾判断扎针是否合格的速度。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种确定晶圆是否扎针合格的方法及相关装置，使得在保证对电极和针痕定位精度的情况下，提高判断扎针是否合格的速度。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种确定晶圆是否扎针合格的方法，包括：

3、通过预先训练好的第一模型获取目标晶圆中的每个电极对应的第一水平外接矩形框和每个针痕对应的第二水平外接矩形框，每个电极的电极区域完全包括于其对应的第一水平外接矩形框中，每个针痕的针痕区域完全包括于其对应的第二水平外接矩形框中，每个第一水平外接矩形框对应一个第一电极坐标，每个第二水平外接矩形框对应一个第一针痕坐标；

4、针对每个电极执行以下操作：

5、根据所述电极对应的第一水平外接矩形框获取第一切片水平矩形框，所述第一切片水平矩形框与所述第一水平外接矩形框的中心点相同，且所述第一切片水平矩形框的面积为所述第一水平外接矩形框的面积的m倍；

6、获取所述第一切片水平矩形框所在的图像区域的第一图像特征；

7、根据所述电极的第一电极坐标、与所述电极存在对应关系的针痕的第一针痕坐标和所述第一图像特征输入预先训练好的第二模型，得到第一电极偏移量和第一针痕偏移量；

8、根据所述第一电极偏移量和所述第一电极坐标获取目标电极坐标，以及根据所述第一针痕偏移量和所述与所述电极存在对应关系的针痕的第一针痕坐标获取目标针痕坐标；

9、根据所述目标电极坐标和所述目标针痕坐标判断所述电极是否扎针合格。

10、第二方面，本申请实施例提供了一种确定晶圆是否扎针合格的装置，包括：

11、获取单元，用于通过预先训练好的第一模型获取目标晶圆中的每个电极对应的第一水平外接矩形框和每个针痕对应的第二水平外接矩形框，每个电极的电极区域完全包括于其对应的第一水平外接矩形框中，每个针痕的针痕区域完全包括于其对应的第二水平外接矩形框中，每个第一水平外接矩形框对应一个第一电极坐标，每个第二水平外接矩形框对应一个第一针痕坐标；

12、执行单元，用于针对每个电极执行以下操作：根据所述电极对应的第一水平外接矩形框获取第一切片水平矩形框，所述第一切片水平矩形框与所述第一水平外接矩形框的中心点相同，且所述第一切片水平矩形框的面积为所述第一水平外接矩形框的面积的m倍；以及获取所述第一切片水平矩形框所在的图像区域的第一图像特征；以及根据所述电极的第一电极坐标，与所述电极存在对应关系的针痕的第一针痕坐标和所述第一图像特征输入预先训练好的第二模型，得到第一电极偏移量和第一针痕偏移量；以及根据所述第一电极偏移量和所述第一电极坐标获取目标电极坐标，以及根据所述第一针痕偏移量和所述与所述电极存在对应关系的针痕的第一针痕坐标获取目标针痕坐标；以及根据所述目标电极坐标和所述目标针痕坐标判断所述电极是否扎针合格。

13、第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括处理器以及存储有执行指令的存储器，所述存储器存储有一个或多个程序；当所述处理器执行所述存储器存储的所述执行指令时，所述处理器执行如第一方面中所述的方法。

14、第四方面，本申请实施例提供了一种计算机可读存储介质，存储有能源数据管理程序，包括执行指令，当电子设备的处理器执行所述执行指令时，所述处理器执行如第一方面中所述的方法。

15、可见，在本申请实施例中，首先通过预先训练好的第一模型获取目标晶圆中的每个电极对应的第一水平外接矩形框和每个针痕对应的第二水平外接矩形框，每个电极的电极区域完全包括于其对应的第一水平外接矩形框中，每个针痕的针痕区域完全包括于其对应的第二水平外接矩形框中，每个第一水平外接矩形框对应一个第一电极坐标，每个第二水平外接矩形框对应一个第一针痕坐标；然后针对每个电极执行以下操作：根据所述电极对应的第一水平外接矩形框获取第一切片水平矩形框，所述第一切片水平矩形框与所述第一水平外接矩形框的中心点相同，且所述第一切片水平矩形框的面积为所述第一水平外接矩形框的面积的m倍；获取所述第一切片水平矩形框所在的图像区域的第一图像特征；根据所述电极的第一电极坐标、与所述电极存在对应关系的针痕的第一针痕坐标和所述第一图像特征输入预先训练好的第二模型，得到第一电极偏移量和第一针痕偏移量；根据所述第一电极偏移量和所述第一电极坐标获取目标电极坐标，以及根据所述第一针痕偏移量和所述与所述电极存在对应关系的针痕的第一针痕坐标获取目标针痕坐标；最后根据所述目标电极坐标和所述目标针痕坐标判断所述电极是否扎针合格。本申请通过确定电极和针痕的位置，以综合分析扎针是否合格，使得在保证电极和针痕的定位精度的情况下，提高判断扎针是否合格的速度。

技术特征：

1.一种确定晶圆是否扎针合格的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述电极的第一电极坐标、与所述电极存在对应关系的针痕的第一针痕坐标和所述第一图像特征输入预先训练好的第二模型之前，所述方法还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二切片水平矩形框确定所述每个电极的第三电极坐标，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过预先训练好的第一模型获取目标晶圆中的每个电极对应的第一水平外接矩形框和每个针痕对应的第二水平外接矩形框之后，所述方法还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述目标电极坐标和所述目标针痕坐标判断所述电极是否扎针合格，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述确定所述电极扎针不合格之后，所述方法还包括：

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一图像特征包括标准灰度值、灰度值大于第二预设值的像素数目、灰度值小于第三预设值的像素数目和/或二值化后的轮廓数目。

8.一种确定晶圆是否扎针合格的装置，其特征在于，所述装置包括：

9.一种电子设备，其特征在于，包括处理器以及存储有执行指令的存储器，所述存储器存储有一个或多个程序；当所述处理器执行所述存储器存储的所述执行指令时，所述处理器执行根据权利要求1-7中任一项所述的方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，存储有能源数据管理程序，包括执行指令，当电子设备的处理器执行所述执行指令时，所述处理器执行根据权利要求1-7中任一项所述的方法。

技术总结
本申请公开了一种确定晶圆是否扎针合格的方法及相关装置，所述方法包括：获取目标晶圆中的每个电极对应的第一水平外接矩形框和每个针痕对应的第二水平外接矩形框；针对每个电极执行以下操作：根据第一水平外接矩形框获取第一切片水平矩形框；获取第一切片水平矩形框所在的图像区域的第一图像特征；根据电极的第一电极坐标、与电极存在对应关系的针痕的第一针痕坐标和第一图像特征获取第一电极偏移量和第一针痕偏移量；根据第一电极偏移量确定目标电极坐标，根据第一针痕偏移量确定目标针痕坐标；根据目标电极坐标和目标针痕坐标判断电极是否扎针合格。本申请可以在保证对电极和针痕定位精度的情况下，提高判断扎针是否合格的速度。

技术研发人员：刘世文
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技术研发日：
技术公布日：2024/4/29