一种延时控制电路、方法和存储器与流程

文档序号:37767088发布日期:2024-04-25 10:53阅读:45来源:国知局
一种延时控制电路、方法和存储器与流程

本公开涉及半导体,尤其涉及一种延时控制电路、方法和存储器。


背景技术:

1、随着半导体技术的不断发展,人们在制造和使用计算机等设备时,对数据的传输速度提出了越来越高的要求。为了获得更快的数据传输速度,应运而生了一系列数据可以双倍速率(double?data?rate,ddr)传输的存储器等器件。

2、以动态随机存取存储器(dynamic?random?access?memory,dram)为例,错误检查与清除(error?check?and?scrub,ecs)模式允许dram内部读取、修改检测到的错误码字,并将修正后的数据写回存储阵列。在执行ecs操作的过程中,dram需要不同命令来实现不同的功能,内部产生不同命令之间存在时序的要求。但是目前的技术并无法保证不同命令之间的时间间隔满足时序要求,影响了存储器的性能。


技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种延时控制电路、方法和存储器。

2、第一方面,本公开实施例提供了一种延时控制电路,包括延时???,其中:

3、所述延时???,用于接收初始命令信号,并对所述初始命令信号进行非时钟触发的延时处理,得到目标命令信号;其中,所述初始命令信号是基于ecs操作模式产生的,所述目标命令信号与所述初始命令信号之间的时间间隔满足预设时序条件,且所述初始命令信号用于执行第一操作,所述目标命令信号用于执行第二操作。

4、在一些实施例中,所述延时??榘ㄑ邮绷?,且所述延时链包括至少一个延时单元,其中:在所述至少一个延时单元中,每一个所述延时单元的电源端均用于接收第一电压。

5、在一些实施例中,所述延时控制电路还包括电压产生???,其中:所述电压产生???,用于产生稳定的所述第一电压。

6、在一些实施例中,所述电压产生??榘ɑ嫉缪鼓?楹臀妊鼓??,其中:所述基准电压???,用于接收初始电压,根据所述初始电压生成参考电压;所述稳压???,用于对所述参考电压进行稳压处理,生成稳定的所述第一电压。

7、在一些实施例中,所述延时控制电路还包括电压转换???,其中:所述电压转换???,用于对所述目标命令信号进行电压转换处理,使得目标命令信号的工作电压由所述第一电压转换为第二电压。

8、在一些实施例中,所述第一电压为延时电路电压vdly,所述第二电压为工作电压vdd。

9、在一些实施例中,所述至少一个延时单元的数量为n个,n为大于0的整数,其中:当n等于1时,所述延时单元的输入端与所述初始命令信号连接,所述延时单元的输出端用于输出所述目标命令信号;当n大于1时,第一个所述延时单元的输入端与所述初始命令信号连接,第i个所述延时单元的输入端与第i-1个所述延时单元的输出端连接,第n个所述延时单元的输出端用于输出所述目标命令信号,其中,i为大于1且小于或者等于n的整数。

10、在一些实施例中,所述延时单元包括m个反相器,且每一个所述反相器的电源端均与所述电压产生??榱?,m为大于0的整数,其中:当m等于1时,所述反相器的输入端用于接收所述延时单元的输入信号,所述反相器的输出端用于输出所述延时单元的输出信号;当m大于1时,第一个所述反相器的输入端用于接收所述延时单元的输入信号,第j个所述反相器的输入端与第j-1个所述反相器的输出端连接,第m个所述反相器的输出端用于输出所述延时单元的输出信号,其中,j为大于1且小于或者等于m的整数。

11、在一些实施例中,第i个所述延时单元包括反相器和l个负载电容,l为大于0的整数,其中:所述反相器的输入端用于接收输入信号;所述反相器的输出端与所述l个负载电容连接,且每一个所述负载电容的电源端均与所述电压产生??榱?,每一个所述负载电容的接地端均与地连接;其中,当i等于1时,所述输入信号为所述初始命令信号;当i大于1且小于或者等于n时,所述输入信号为第i-1个所述延时单元的输出信号。

12、在一些实施例中,所述延时单元,用于将接收到的输入信号延时第一时长后进行输出;其中,所述至少一个延时单元的数量与所述第一时长的乘积值等于所述目标命令信号与所述初始命令信号之间的时间间隔。

13、在一些实施例中,所述延时控制电路还包括缓冲???,其中:所述缓冲???,用于接收ecs命令信号,并根据ecs命令信号生成所述初始命令信号。

14、在一些实施例中,所述延时控制电路还包括ecs控制???,其中:所述ecs控制???,用于在ecs操作模式下,根据自刷新信号生成ecs命令信号。

15、在一些实施例中,所述初始命令信号包括激活信号,所述目标命令信号包括读信号,或者;所述初始命令信号包括读信号,所述目标命令信号包括写信号,或者;所述初始命令信号包括写信号,所述目标命令信号包括预充电信号;其中,所述激活信号用于执行激活操作,所述读信号用于执行读操作,所述写信号用于执行写操作,所述预充电信号用于执行预充电操作。

16、第二方面,本公开实施例提供了另一种延时控制电路,包括延时???,其中:所述延时???,用于接收初始命令信号,对所述初始命令信号进行非时钟触发的延时处理,得到目标命令信号;其中,所述延时??榈牡缭炊擞糜诮邮瘴榷ǖ牡谝坏缪?,所述目标命令信号与所述初始命令信号之间的时间间隔满足预设时序条件,且所述初始命令信号用于执行第一操作,所述目标命令信号用于执行第二操作。

17、在一些实施例中,所述延时控制电路还包括电压产生???,其中:所述电压产生???,用于产生所述稳定的第一电压。

18、在一些实施例中,所述电压产生??榘ɑ嫉缪鼓?楹臀妊鼓??,其中:所述基准电压???,用于接收初始电压,根据所述初始电压生成参考电压;所述稳压???,用于对所述参考电压进行稳压处理,生成所述稳定的第一电压。

19、在一些实施例中,所述延时控制电路还包括电压转换???,其中:所述电压转换???,用于对所述目标命令信号进行电压转换处理,使得目标命令信号的工作电压由所述第一电压转换为第二电压。

20、第三方面,本公开实施例提供了一种延时控制方法,该方法包括:

21、接收初始命令信号;

22、对所述初始命令信号进行非时钟触发的延时处理,得到目标命令信号;其中,所述初始命令信号是基于ecs操作模式产生的,所述目标命令信号与所述初始命令信号之间的时间间隔满足预设时序条件,且所述初始命令信号用于执行第一操作,所述目标命令信号用于执行第二操作。

23、第四方面,本公开实施例提供了另一种延时控制方法,该方法包括:

24、接收初始命令信号;

25、通过延时??槎运龀跏济钚藕沤蟹鞘敝哟シ⒌难邮贝?,得到目标命令信号;其中,所述延时??榈牡缭炊擞糜诮邮瘴榷ǖ牡谝坏缪?,所述目标命令信号与所述初始命令信号之间的时间间隔满足预设时序条件,且所述初始命令信号用于执行第一操作,所述目标命令信号用于执行第二操作。

26、第五方面,本公开实施例提供了一种存储器,包括如第一方面或者第二方面所述的延时控制电路。

27、本公开实施例提供了一种延时控制电路、方法和存储器,该延时控制电路包括延时???,其中:延时???,用于接收初始命令信号,并对初始命令信号进行非时钟触发的延时处理,得到目标命令信号;其中,初始命令信号是基于ecs操作模式产生的,目标命令信号与初始命令信号之间的时间间隔满足预设时序条件,初始命令信号用于执行第一操作,目标命令信号用于执行第二操作。这样,通过延时??槎猿跏济钚藕沤蟹鞘敝哟シ⒌难邮贝?,从而在执行ecs操作时,即使没有外部时钟信号作为信号延时的时钟,也能够通过非时钟触发的方式将初始命令信号延迟一定时间,得到目标命令信号,使得目标命令信号和初始命令信号之间的时间间隔满足预设时序条件;另外,延时??榈牡缭炊嘶箍梢杂氲缪共?榱?,根据电压产生??榭梢晕邮蹦?樘峁┪榷ǖ牡谝坏缪棺魑缪?,从而还能够改善延时??榈难邮笔躳vt等外界因素影响的问题,进而提升了存储器的性能。

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