专利名称：取代苯并硫属并苯化合物、包含该化合物的薄膜以及包括该薄膜的有机半导体装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及取代苯并硫属并苯(benzochalcogenoacene)化合物、包含该化合物的薄膜以及包括该薄膜的有机半导体装置。
背景技术：
非专利文献1中，记载了ニ苯并[d，d’ ]噻吩并[3，2-b; 4，5’ _b，] ニ噻吩，且在该专利文献1中，记载了下式所示的苯并硫属并苯化合物
权利要求
1.式(1)所示的取代苯并硫属并苯化合物
2.权利要求1所述的化合物，其中式(1)中的全部E均为硫原子。
3.权利要求1或2所述的化合物，其中式(1)中的R1和R2各自独立地表示氢原子、任选氟代的C4,烷基、任选氟代的C4,烷氧基、任选氟代的任选烷基化或烷氧基化的C6,芳基、任选氟代的C7,芳烷基、任选氟代的任选烷基化或烷氧基化的C4,杂芳基、或任选氟代的c5_3(1杂芳烷基。
4.权利要求1-3中任一项所述的化合物，其中式(1)所示的化合物为式( 所示的化合物
5.权利要求4所述的化合物，其中式O)中，E各自独立地表示硫原子或硒原子，R1和 R2各自独立地表示氢原子、任选氟代的C4,烷基、或任选烷基化或氟代的C3,三烷基甲硅^71: ο
6.权利要求5所述的化合物，其中式( 中的R1和R2各自独立地表示C4,烷基或C3, 三烷基甲硅烷基。
7.权利要求5所述的化合物，其中式(2)中的R1和R2为C4,烷基。
8.权利要求5所述的化合物，其中式O)中的R1和R2相同且表示C4_2(l烷基。
9.权利要求5所述的化合物，其中式O)中的R1和R2为C6_12烷基。
10.权利要求4所述的化合物，其中式O)中的R1和R2各自独立地表示氢原子、任选氟代的C4,烷基、任选氟代的C4,烷氧基、任选氟代的任选烷基化的C6,芳基，或任选氟代的。7-30万ス兀全。
11.权利要求4所述的化合物，其中式O)中的R1和R2相同且表示c4_2(l烷氧基。
12.权利要求4所述的化合物，其中式O)中的R1和R2相同且表示具有CV2tl烷基的
13.权利要求4所述的化合物，其中式O)中的R1和R2相同且表示C7_2(l芳烷基。
14.权利要求5所述的化合物，其中式( 中的R1和R2各自独立地表示C3,三烷基甲娃ス兀备。
15.权利要求5所述的化合物，其中式( 中的R1和R2各自独立地表示C3_14三烷基甲し 6-10 芳基。硅烷基。
16.权利要求4或5所述的化合物，其中式O)中的R1和R2相同且表示己基或十二烷
17.权利要求4-16中任一项所述的化合物，其中式中的全部E均为硫原子。
18.权利要求4所述的化合物，其中式(2)中的全部E均表示硫原子，式(2)中的R1和R2表示己基。
19.权利要求4所述的化合物，其中式( 中的全部E均表示硫原子，式( 中的R1和 R2相同且表示十二烷基。
20.权利要求4所述的化合物，其中式(2)中的全部E均表示硫原子，式(2)中的R1和 R2各自独立地表示C6_12烷基。
21.下述式[5]、[7]、[12]、[15]、[18]或[42]所示的化合物
22.权利要求1-3中任一项所述的化合物，其中式(1)所示的化合物为式C3)所示的化合物
23.权利要求22所述的化合物，其中式(3)中的R1和R2相同且表示C4_2(l烷基。
24.ー种薄膜，其包含权利要求1-23中任一项所述的化合物。
25.ー种薄膜，其由权利要求1-23中任一项所述的化合物构成。
26.一种有机半导体装置，其包含权利要求M或25所述的薄膜。
27.ー种有机晶体管，其包含权利要求M或25所述的薄膜。
全文摘要
本发明提供适用于作为有机半导体材料的新型化合物，该化合物为式(1)所示的取代苯并硫属并苯化合物，提供包含该化合物的薄膜、以及具有该薄膜作为构成成分的有机半导体装置。在式(1)中，E各自独立地表示硫原子或硒原子，并且R1和R2各自独立地表示氢原子、任选取代的C4-30烷基、任选取代的C4-30烷氧基、任选取代的C6-30芳基、任选取代的C7-30芳烷基、任选取代的C4-30杂芳基、任选取代的C5-30杂芳烷基、或任选氟代的C3-30三烷基甲硅烷基，R1和R2两者不为氢原子。
文档编号H01L51/05GK102574868SQ20108004026
公开日2012年7月11日 申请日期2010年7月8日 优先权日2009年7月10日
发明者吉川荣二, 宫田康生, 山口茂弘 申请人:住友化学株式会社, 国立大学法人名古屋大学