提供对称射频返回路径的工艺?？槭业闹谱鞣椒?

文档序号：37558621发布日期：2024-04-09 17:51阅读：13352来源：国知局
导航： X技术> 最新专利>电气元件制品的制造及其应用技术
提供对称射频返回路径的工艺?？槭业闹谱鞣椒? /><br/><p>本实施方案涉及半导体晶片处理装置工具，尤指每一站具有通过室中心的更对称射频(rf)接地返回路径的多站室。</p><p><br/><b>背景技术：</b><br/></p><p>1、有很多种半导体制造领域中常用的膜沉积工艺。一种示例工艺称为等离子体增强化学气相沉积(pecvd)，其是一种等离子体沉积，用于将薄膜从气态(即蒸气)沉积成衬底(例如晶片)上的固态。pecvd系统将液态前体转化成输送至室的蒸气前体。pecvd系统可包括以受控方式将液体前体汽化以产生蒸气前体的汽化器。</p><p>2、另一示例膜沉积工艺称为原子层沉积(ald)，其也利用等离子体能量来促进沉积。ald系统用于生产非常薄的膜，其高度保形、平滑且具有优异物理特性。ald使用依次引入(或脉冲)于加热衬底上的挥发性气体、固体或蒸气。第一前体以气体形式被引入，其被吸收(或吸附)至衬底中且反应室中的气态前体被清除。第二前体以气体形式被引入，其与被吸收的前体反应以形成单层期望材料。通过调节此顺序，ald所产生的膜通过反复切换两种或更多反应气体在衬底上的依序流动而一次沉积一个单层。</p><p>3、用于处理pecvd及ald工艺的室需要高工程化的结构构造，使得沉积在衬底上的所得膜尽可能地均匀，且工艺可在晶片之间重复。在这样的室中，供应射频(rf)功率以激发等离子体形式的气体，其导致材料膜的沉积。rf功率的传输通常应用于衬底固持件(即基座)或喷头。在任一配置，施加至室的rf功率均需要返回路径。一般，导电室壁提供此返回路径。</p><p>4、此工艺在一段时间内运行良好，但随着对制造更小特征尺寸的需求持续推动，对室构造以及工程几何特征不断提出更严格的要求。例如，可用于pecvd以及ald的一些室设计包括多站设计。多站设计是使得沉积工艺能够同时在多个站中进行的设计。这样的多站设计已增加与其他站的相邻处理相关的复杂性。</p><p>5、此外，对于每一晶片呈不对称的多站工艺?？榭赡苡胁欢猿苧f返回路径的问题，尤其是在较高频率下。例如，rf返回路径对于相应晶片并非轴对称，因为导电路径存在于较靠近室边缘的晶片而非朝向室中心的旋转机构。由于此不对称性，对应晶片上可能出现不均匀性。</p><p>6、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此背景技术部分中描述的范围内的当前指定的发明人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。</p><p>7、就是在该背景下提出了本发明的实施方案。</p><br/><p><b>技术实现思路</b></p><p>1、本实施方案关于用于处理半导体晶片的处理室。尤其是，本发明的实施方案通过在室中提供中心rf返回来减小工艺晶片上的不均匀性，以提高多站处理室中rf返回路径的对称性。以下描述本发明的几个创造性实施方案。</p><p>2、本发明的实施方案提供被配置用于等离子体处理的装置。该装置包括多站处理室，其包含顶板和底部，多站处理室被配置成包围多个站，其各自包括基座组件以支撑用于处理的衬底。该装置包括心轴，其位于所述多个站之间的中心并被配置成围绕中心轴线旋转，其中心轴电连接至底部。该装置包括第一致动器，其耦合至心轴并被配置用于控制心轴于z方向上的移动。该装置包括转位器，其连接至心轴并被配置成随心轴旋转，其中转位器包括多个延伸部，其各自被配置成与对应衬底接合以往来于站传送。该装置包括导电接口，其能移动地连接至该顶板。该装置包括第二致动器，其耦合至导电接口并被配置用于控制导电接口在z方向上的移动。导电接口被配置成：当等离子体处理期间多个延伸部的每一个停放且心轴移动至较低位置时，该导电接口在z方向上向下移动以与转位器接触。</p><p>3、本发明的其他实施方案提供被配置用于等离子体处理的装置。该装置包括多站处理室，其包含顶板和底部，多站处理室被配置成包围多个站，其各自包括基座组件以支撑用于处理的衬底。该装置包括心轴，其位于所述多个站之间的中心并被配置成围绕中心轴线旋转。该装置包括第一致动器，其耦合至心轴并被配置用于控制心轴于z方向上的移动。该装置包括转位器，其连接至心轴并被配置成随心轴围绕中心轴线旋转，其中转位器包括多个延伸部，其各自被配置成与对应衬底接合以往来于站传送。该装置包括导电接口，其能移动地连接至顶板。该装置包括第二致动器，其耦合至导电接口并被配置用于控制该导电接口在z方向上的移动。导电接口具有横跨转位器的直径的下端部。此外，导电接口被配置成：当等离子体处理期间多个延伸部的每一个停放且心轴移动至较低位置时，导电接口在z方向上向下移动以与邻近心轴和转位器的导电结构接触。导电结构电耦合至该底部。</p><p>4、本发明的其他实施方案提供被配置用于等离子体处理的装置。该装置包括多站处理室，其包含顶板和底部，多站处理室被配置成包围多个站，其各自包括基座组件以支撑用于处理的衬底。该装置包括心轴，其位于所述多个站之间的中心并被配置成围绕中心轴线旋转，其中心轴电连接至该底部。该装置包括致动器，其耦合至心轴并被配置用于控制心轴于z方向上的移动。该装置包括转位器，其连接至心轴并被配置成随心轴旋转，其中转位器包括多个延伸部，其各自被配置成与对应衬底接合以往来于站传送。该装置包括导电接口，其连接至转位器。心轴被配置成在等离子体处理期间于z方向上向上移至较高位置以使导电接口与顶部接触。当心轴处于较高位置时，多个延伸部中的每一个都停放。</p><p>5、本发明的其他实施方案提供被配置用于等离子体处理的装置。该装置包括多站处理室，其包含顶板和底部，多站处理室被配置成包围多个站，其各自包括基座组件以支撑用于处理的衬底。该装置包括心轴，其位于所述多个站之间的中心并被配置成围绕中心轴线旋转，其中，心轴能移动地电连接至顶板。该装置包括致动器，其耦合至心轴并被配置用于控制心轴于z方向上的移动。该装置包括转位器，其连接至心轴并被配置成随心轴旋转，其中转位器包括多个延伸部，其各自被配置成与对应衬底接合以往来于站传送。该装置包括导电接口，其连接至转位器。该装置包括导电结构，其电连接至该底部。心轴被配置成在等离子体处理期间于z方向上下向移动以使导电接口与导电结构接触。当心轴处于较低位置时，多个延伸部的每一个停放。</p><p>6、本发明的其他实施方案提供被配置用于等离子体处理的装置。该装置包括多站处理室，其包含顶板和底部，多站处理室被配置成包围多个站，其各自包括基座组件以支撑用于处理的衬底。该装置包括心轴，其位于所述多个站之间的中心并被配置成围绕中心轴线旋转，其中，心轴电连接至该底部。该装置包括致动器，其耦合至心轴并被配置用于控制心轴于z方向上的移动。该装置包括转位器，其连接至心轴并被配置成随心轴旋转，其中转位器包括多个延伸部，其各自被配置成与对应衬底接合以往来于站传送。该装置包括导电接口，其连接至转位器，其中该导电接口的一端部延伸进入顶板的行进空间，其中导电接口随心轴移动。该装置包括导电(例如，流体)密封波纹管组件，其在行进空间的开口周围连接至顶板。当心轴停放或在z方向上移动时，导电接口的端部通过轴承与导电密封波纹管组件接合，以与顶板构成持续接触。当心轴在等离子体处理期间移至较低位置时，多个延伸部的每一个停放。</p><p>7、本发明的其他实施方案提供被配置用于促进多站处理室内的rf返回路径的装置。该装置包括上柱组件，其中上柱组件可导电。该装置包括下柱组件，其能移动地连接至上柱组件，其中下柱组件可导电。上柱组件及该下柱组件被配置成在多站处理室的顶板与底部之间提供rf返回路径。</p><p>8、本领域技术人员在阅读整篇说明书和权利要求后，将理解这些以及其他优点。</p> </div> </div> <div class=
完整全部详细技术资料下载
当前第1页1 2 
  • 该技术已申请专利。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系技术所有人。
  • 技术研发人员：萨姆·贾法里安德黑兰尼,卡尔·弗雷德里克·利瑟,大卫·弗伦奇,约翰·迈克尔·威尔特斯
  • 技术所有人：朗姆研究公司
  • 我是此专利的发明人
相关技术
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞！
1
精彩留言，会给你点赞！

使用协议| 关于我们| 联系X技术

? 2008-2024 【X技术】 版权所有，并保留所有权利。津ICP备16005673号-2

imtoken助记词怎么填-imtoken钱包没有收益-imtoken矿工费太贵了-im钱包官网:token.im