技术编号：37773729
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体老化测试领域，特别是涉及一种半导体时延测试方法、装置、电子设备和存储介质。背景技术、随着半导体制造技术的飞速发展，高速、高容量的存储器层出不穷，对半导体存储器老化测试设备的需求也日益增加。、传统时延测试系统中，我们需要设计专门用于测试的测试板，将所需要的信号两头用同轴头引出来，再将同轴头和对应的网分连接而测试，此种测试方法需要单独设计测试板，并且测试通道数受限于同轴头的个数。现有方案多采用网络分析仪(tdr取样头)，通过线缆，sma接头，和pcb板上的同轴端子连接；由于同轴端...
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