技术编号:37778543
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种包含含有第四族金属元素的前体化合物的用于膜沉积的组合物,以及一种使用该组合物形成膜的方法。背景技术、含有第四族金属元素的膜(尤其是具有高介电常数的第四族金属氧化物膜)是驱动非存储半导体器件(如逻辑器件)以及存储半导体器件(如dram、闪存、电阻式存储器(reram)、铁电存储器(feram)和相变存储器(pcram))所必需的薄膜之一。、特别地,这种含有第四族金属元素的膜被用于显示器领域中最先进的有机发光二极管(oled)技术,以及存储器件中的栅极绝缘膜、电容器高-k介电膜等。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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