Mcu超再生接收芯片的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种芯片，尤其是一种MCU超再生接收芯片，属于集成芯片的【技术领域】。按照本实用新型提供的技术方案，所述MCU超再生接收芯片，包括集成有高频运算放大电路、检波电路、信号处理电路以及解码执行芯片的接收集成芯片IC1；在所述接收集成芯片IC1内，高频运算放大电路的输出端与检波电路的输入端连接，检波电路的输出端与信号处理电路的输入端连接，信号处理电路的输出端与解码执行芯片的输入端连接，高频运算放大电路的输入端与再生振荡电路连接。本实用新型结构紧凑，降低电路之间的干扰，成本低，适应范围广，安全可靠。
【专利说明】MCU超再生接收芯片
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种芯片，尤其是一种MCU超再生接收芯片，属于集成芯片的【技术领域】。
【背景技术】
[0002]超再生接收技术，由于其接收灵敏度高，成本低而广泛应用与无线控制系统，在实际应用中超再生电路通常是由高放+再生振荡+检波+解码+执行等电路组成，由于组成单元多，各单元之间相互影响大，使得实际应用中有诸多不便，且产品的研发和生产成本较闻。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种MCU超再生接收芯片，其结构紧凑，降低电路之间的干扰，成本低，适应范围广，安全可靠。
[0004]按照本实用新型提供的技术方案，所述MCU超再生接收芯片，包括集成有高频运算放大电路、检波电路、信号处理电路以及解码执行芯片的接收集成芯片ICI;在所述接收集成芯片ICi内，高频运算放大电路的输出端与检波电路的输入端连接，检波电路的输出端与信号处理电路的输入端连接，信号处理电路的输出端与解码执行芯片的输入端连接，高频运算放大电路的输入端与再生振荡电路连接。
[0005]所述再生振荡电路包括电容Cl以及电容C2，所述电容Cl的一端与电阻Rl的一端、电感LI的一端、电容C4的一端、电阻R5的一端以及电阻R4的一端连接，电容Cl的另一端与晶体管BGl的基极端、电阻Rl的另一端以及电容C2的一端连接，电容C2的另一端接地；晶体管BGl的集电极端与电感LI的另一端、电容C4的另一端以及电容C5的一端连接，电容C5的另一端与晶体管BGl的发射极端以及电感L2的一端连接，电感L2的另一端与电阻R3的一端以及电容C3的一端连接，电阻R3的另一端以及电容C3的另一端接地；电阻R5的另一端与电源VDD连接，电阻R4的另一端与电容C6的一端连接，电容C6的另一端与电阻R6的一端以及电容C7的一端连接，电阻R6的另一端以及电容C7的另一端接地。
[0006]本实用新型的优点:将高频运算放大电路、检波电路、信号处理电路以及解码执行芯片集成在同一芯片内，形成接收集成芯片，通过再生振荡电路对发射信号进行接收，当且仅当发射信号的频率与再生振荡电路的振荡频率一致时，接收集成芯片对发射信号进行解码并输出控制信号，结构紧凑，降低电路之间的干扰，成本低，适应范围广，安全可靠。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为本实用新型的结构框图。
[0008]图2为本实用新型的电路原理图。
[0009]附图标记说明:100-再生振荡电路、110-高频运算放大电路、120-检波电路、130-信号处理电路以及140-解码执行芯片。
【具体实施方式】
[0010]下面结合具体附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
[0011]如图1所示:为了降低电路之间的干扰以及生产成本，本实用新型包括集成有高频运算放大电路110、检波电路120、信号处理电路130以及解码执行芯片140的接收集成芯片ICl ;在所述接收集成芯片ICl内，高频运算放大电路110的输出端与检波电路120的输入端连接，检波电路120的输出端与信号处理电路130的输入端连接，信号处理电路130的输出端与解码执行芯片140的输入端连接，高频运算放大电路110的输入端与再生振荡电路100连接。
[0012]具体地，所述高频运算放大电路110、检波电路120以及信号处理电路130均可以采用现有的电路结构，解码执行芯片140采用常用的微处理芯片，如单片机等。将高频运算放大电路110、检波电路120、信号处理电路130以及解码执行芯片140集成形成接收集成芯片ICl内，能够有效避免电路之间的相互干扰，再生振荡电路100位于接收集成芯片ICl的片外，用于接收外部的发射信号。本实用新型实施例中，接收集成芯片ICl具有端脚1、端脚2、端脚3、端脚4、端脚5、端角6、端脚7以及端脚8，其中，端脚I为接收集成芯片ICl的电源端VDD，端脚2为高频运算放大器110的输入端，端脚3为接地端，端脚4为数字输出DOUTO，端脚5为数字输出DOUTl，端脚6为数字输出D0UT2，端脚7为数字输出D0UT3，端脚8为VSS端；端脚4、端脚5、端脚6以及端脚7均与解码执行芯片140的输出端连接。
[0013]如图2所示，所述再生振荡电路100包括电容Cl以及电容C2，所述电容Cl的一端与电阻Rl的一端、电感LI的一端、电容C4的一端、电阻R5的一端以及电阻R4的一端连接，电容Cl的另一端与晶体管BGl的基极端、电阻Rl的另一端以及电容C2的一端连接，电容C2的另一端接地；晶体管BGl的集电极端与电感LI的另一端、电容C4的另一端以及电容C5的一端连接，电容C5的另一端与晶体管BGl的发射极端以及电感L2的一端连接，电感L2的另一端与电阻R3的一端以及电容C3的一端连接，电阻R3的另一端以及电容C3的另一端接地；电阻R5的另一端与电源VDD连接，电阻R4的另一端与电容C6的一端连接，电容C6的另一端与电阻R6的一端以及电容C7的一端连接，电阻R6的另一端以及电容C7的另一端接地。
[0014]本实用新型实施例中，电阻R6与电容C6以及电容C7相连的一端与接收集成芯片ICl的端脚2连接，接收集成芯片ICl的端脚3接地，接收集成芯片ICl的端脚I与电源VDD连接，接收集成芯片ICl的端脚8接地。
[0015]通过片外的再生振荡电路100接收发生信号，当发射信号的频率与再生振荡电路100的振荡频率一致时，再生振荡电路100才将发射信号传输至接收集成芯片ICl内，在接收集成芯片ICi内，通过高频运算放大电路110对接收到的发射信号进行放大，利用检波电路120检波出控制信号，经信号处理电路130进行处理后由解码执行芯片140进行解码和控制信号的输出。
[0016]本实用新型将高频运算放大电路110、检波电路120、信号处理电路130以及解码执行芯片140集成在同一芯片内，形成接收集成芯片ICl，通过再生振荡电路100对发射信号进行接收，当且仅当发射信号的频率与再生振荡电路100的振荡频率一致时，接收集成芯片ICI对发射信号进行解码并输出控制信号，结构紧凑，降低电路之间的干扰，成本低，适应范围广，安全可靠。
【权利要求】
1.一种MCU超再生接收芯片，其特征是:包括集成有高频运算放大电路(I 10)、检波电路(120)、信号处理电路(130)以及解码执行芯片(140)的接收集成芯片ICl ;在所述接收集成芯片ICl内，高频运算放大电路(110)的输出端与检波电路(120)的输入端连接，检波电路(120 )的输出端与信号处理电路(130 )的输入端连接，信号处理电路(130 )的输出端与解码执行芯片(140 )的输入端连接，高频运算放大电路(110 )的输入端与再生振荡电路(100 )连接。
2.根据权利要求1所述的MCU超再生接收芯片，其特征是:所述再生振荡电路(100)包括电容Cl以及电容C2，所述电容Cl的一端与电阻Rl的一端、电感LI的一端、电容C4的一端、电阻R5的一端以及电阻R4的一端连接，电容Cl的另一端与晶体管BGl的基极端、电阻Rl的另一端以及电容C2的一端连接，电容C2的另一端接地；晶体管BGl的集电极端与电感LI的另一端、电容C4的另一端以及电容C5的一端连接，电容C5的另一端与晶体管BGl的发射极端以及电感L2的一端连接，电感L2的另一端与电阻R3的一端以及电容C3的一端连接，电阻R3的另一端以及电容C3的另一端接地；电阻R5的另一端与电源VDD连接，电阻R4的另一端与电容C6的一端连接，电容C6的另一端与电阻R6的一端以及电容C7的一端连接，电阻R6的另一端以及电容C7的另一端接地。
【文档编号】H04B1/30GK203942518SQ201420338018
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2014年6月23日 优先权日:2014年6月23日
【发明者】王志年 申请人:无锡晶哲科技有限公司